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电子元器件详细资料 » IC[20252] » IRFIBF30G
型号:IRFIBF30G类别:FET - 单制造商:Vishay Siliconix
封装:TO-220-3 全封装,隔离接片描述:MOSFET N-CH 900V 1.9A TO220FP

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH 900V 1.9A TO220FP
系列-
制造商Vishay Siliconix
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点标准
漏极至源极电压(Vdss)900V
电流_连续漏极(Id)0a025000C1.9A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C3.7 欧姆 @ 1.1A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2224V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs78nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds1200pF @ 25V
功率_最大35W
安装类型通孔
封装/外壳TO-220-3 全封装,隔离接片
供应商设备封装TO-220-3
包装管件

供应商

深圳市科恒伟业电子有限公司柯0755-88917652分机801-83200050
HECC GROUP CO,LIMITEDSante Zhang/Mollie086-755-83241160(高端器件渠道商)/83950019/83950895/83950890
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